基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件 ３ＤＧ２１０型ＮＰＮ硅超高频低噪声差分对晶体管详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise difference match transistor of Type 3DG210 |
| 中标分类： | 农业、林业 >> 农业、林业综合 >> 技术管理 |
| 发布部门： | 中国电子工业总公司 |
| 发布日期： | 1992-11-19 |
| 实施日期： | 1993-05-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 提出单位： | 中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所和国营八七一厂 |
| 起草人： | 王长福、黄世杰、李红 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1993-04-01 |
| 页数： | 12页 |
适用范围
本规范规定了3DG210型NPN硅超高频低噪声差对晶体管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按ＧＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).
前言
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目录
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引用标准
GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7092-1986 半导体集成电路外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
所属分类： 农业 林业 农业 林业综合 技术管理