【英文标准名称】:Aerospaceseries-Cableoutletaccessoriesforcircularandrectangularelectricalandopticalconnectors-Part025:Cableoutlet,styleA,straight,unsealed,withcabletiestrainreliefforEN3646-Productstandard;GermanandEnglishversionEN366
【原文标准名称】:航空航天系列.圆形和矩形光电连接器的电缆引出端附件.第025部分:EN3646的带应变消除夹非密封A型电缆引出端.产品标准.德文版本和英文版本EN3660-025-2009
【标准号】:EN3660-025-2009
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:2009-09-01
【实施或试行日期】:
【发布单位】:欧洲标准学会(EN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:航空航天运输;航空运输;飞行器部件;圆形连接器;圆形;设计;名称与符号;尺寸规格;电连接器;电插头;电气工程;外壳;检验;作标记;多语种的;光学连接器;插头;产品标准;矩形连接器;矩形;航天运输;规范(验收);终端套管;试验;公差(测量);类型
【英文主题词】:Aerospacetransport;Airtransport;Aircraftcomponents;Circularconnectors;Circularshape;Design;Designations;Dimensions;Electricconnectors;Electricplugs;Electricalengineering;Enclosures;Inspection;Marking;Multilingual;Opticalconnectors;Plugs;Productstandards;Rectangularconnectors;Rectangularshape;Spacetransport;Specification(approval);Terminalcasings;Testing;Tolerances(measurement);Types
【摘要】:
【中国标准分类号】:V25
【国际标准分类号】:49_060
【页数】:24P.;A4
【正文语种】:英语
基本信息
| 标准名称： | 钢管漏磁探伤方法 |
| 英文名称： | Steel tubes--The testing method of magnetic flux leakage |
| 中标分类： |
冶金 >>
金属理化性能试验方法 >>
金属无损检验方法 |
| ICS分类： |
冶金 >>
金属材料试验 >>
金属材料无损检测
|
| 替代情况： | GB/T 12606-1990 |
| 发布部门： | 国家质量技术监督局 |
| 发布日期： | 1999-01-01 |
| 实施日期： | 2000-08-01 |
| 首发日期： | 1990-12-18 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 主管部门： | 中国钢铁工业协会 |
| 归口单位： | 全国钢标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 上海材料研究所 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2004-04-10 |
| 页数： | 平装16开， 页数：12， 字数：17千字 |
| 书号： | 155066.1-16705 |
适用范围
本标准规定了铁磁性无缝钢管和埋弧焊以外的铁磁性焊管的探伤原理、探伤设备、探伤方式、对比试样及刻槽尺寸、探伤条件、探伤步骤、探伤判定和探伤报告。本标准适用于外径不小于9mm钢管内、外表面的纵向、横向漏磁探伤。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
没有内容
所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属无损检验方法 冶金 金属材料试验 金属材料无损检测
【英文标准名称】:StandardTestMethodforMeasuringtheDepthofCrystalDamageofaMechanicallyWorkedSiliconSliceSurfacebyAnglePolishingandDefectEtching
【原文标准名称】:用角抛光和疵点侵蚀加工法测量机械加工硅片表面晶体损坏深度的标准试验方法
【标准号】:ASTMF950-2002
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2002
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:损伤;电子工程;表面;测量;蚀刻;深度;硅;垫圈;晶体缺陷;抛光
【英文主题词】:bevelpolish;damage-depth;defect;preferentialetch;silicon
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thistestmethoddescribesatechniquetomeasurethedepthofdamage,onorbeneaththesurfaceofsiliconwaferspriortoanyheattreatmentofthewafer.Suchdamageresultsfro
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:6P.;A4
【正文语种】: